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表面塗佈生產
  真空蒸鍍封裝
  電路板噴墨印
  無光罩聚合物沉積
  矽等向氣相蝕刻
  光阻旋轉塗佈
  掃描探針顯微鏡
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   

   

   

 
 

 

 


德国拜耳聚合物公司和美国GE塑料公司合资的Exatec公司,最近推出了一种由聚碳酸酯(PC)制成的汽车窗系统-Exatec500,该系统具有很好的耐热性和耐磨性,因为PC是一种透明模塑塑料,在很大的温度范围内有均匀的坚韧性与刚性。
Exatec公司称他们巳完成汽车窗应用规格要求所必须的技术开发,它包括设计、加工成型、装璜、抗紫外线辐射、等离子涂层、连接等生产工艺和PC窗的组装。由于PC窗有重量轻、汽车发生碰撞事故时不会伤及乘员等优点,具有良好的市场前景。
 

濺鍍系統 ,可視實際鍍膜需求,依下列選擇性作適當組合:依電源供給方式不同可分為DC 直流濺鍍及MF RF 交流濺鍍, 金屬導體鍍膜大都採用DC 直流濺鍍,而導電較差或不導電的材料則使用MF RF 交流濺鍍;依靶源電極數可分為單極、雙極及三極;新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁控將電子成螺旋狀運動,以提高靶材周圍的氬氣離子化程度,使得靶與氬氣離子間的撞擊率增加,提高濺鍍速率;為提高鍍膜品質,可採行反應性濺鍍,即通入反應性氣體,與靶材物質起反應共沉積;為改善鍍膜附著性及品質, 可於基板外加偏壓進行濺鍍。

摻雜氟的SiO2SiOF是唯一開始用在量產,k值為3.5CVD薄膜。其是作為與k值為4SiO2與那些製程困難且昂貴k值小於3的低-k材料間的中間者。市場正朝向k2.53.0的技術發展SiOC可以在標準的平行板式PECVD系統沉積,並且根據報導,類似矽膠的薄膜能夠避免三種整合方面的難題:
1
.SiOC不吸收UV,因此就微影的觀點,無需不透明的硬質罩幕hardmask
2.
所沉積的薄膜,無需穩定回火。
3.
蝕刻後的側壁,無需穩定處理。
決定所選擇的前導物以及沉積的條件,生產的薄膜能夠擁有k
2.53.0左右的低介電常數,並且同時具備適當的結構穩定。對於k2.7的薄膜,不只沉積時穩定,並且具抗水性,報告指出它能忍受室溫的溼度長達數天之久CVD製程非常類似用於沉積標準PECVD的氧化層:沉積發生在400,而公司具六個站台(station)Sequel設備,能夠以每小時55片晶圓的速率,沉積0.5微米厚的薄膜。
而此製程需要相當低密度的電漿。高密度電漿
HDP-CVD會擊碎前導物,形成許多元素離子,以致SiO或是SiC類的材料會沉積上去;因此,適用於層級內介電層間隙填充的HDP-CVD設備,無法沉積
SiOC材料。



 

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