濺鍍系統 ，可視實際鍍膜需求，依下列選擇性作適當組合：依電源供給方式不同可分為DC 直流濺鍍及MF 或RF 交流濺鍍， 金屬導體鍍膜大都採用DC 直流濺鍍,而導電較差或不導電的材料則使用MF 或RF 交流濺鍍；依靶源電極數可分為單極、雙極及三極；新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁控將電子成螺旋狀運動，以提高靶材周圍的氬氣離子化程度，使得靶與氬氣離子間的撞擊率增加，提高濺鍍速率；為提高鍍膜品質，可採行反應性濺鍍，即通入反應性氣體，與靶材物質起反應共沉積；為改善鍍膜附著性及品質， 可於基板外加偏壓進行濺鍍。

摻雜氟的SiO2（SiOF）是唯一開始用在量產，k值為3.5的CVD薄膜。其是作為與k值為4之SiO2與那些製程困難且昂貴k值小於3的低-k材料間的中間者。市場正朝向k值2.5∼3.0的技術發展。SiOC可以在標準的平行板式PECVD系統沉積，並且根據報導，“類似矽膠”的薄膜能夠避免三種整合方面的難題：

SiOC不吸收UV，因此就微影的觀點，無需不透明的硬質罩幕（hardmask）。

所沉積的薄膜，無需穩定回火。

蝕刻後的側壁，無需穩定處理。

決定所選擇的前導物以及沉積的條件，生產的薄膜能夠擁有k值2.5∼3.0左右的低介電常數，並且同時具備適當的結構穩定。對於k值2.7的薄膜，不只沉積時穩定，並且具抗水性，報告指出它能忍受室溫的溼度長達數天之久。CVD製程非常類似用於沉積標準PECVD的氧化層：沉積發生在400℃，而公司具六個站台(station)之Sequel設備，能夠以每小時55片晶圓的速率，沉積0.5微米厚的薄膜。
而此製程需要相當低密度的電漿。高密度電漿（HDP-CVD）會擊碎前導物，形成許多元素離子，以致SiO或是SiC類的材料會沉積上去；因此，適用於層級內介電層間隙填充的HDP-CVD設備，無法沉積SiOC材料。

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