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在PDMS上光阻，光阻劑塗的不均勻且粘不到PDMS上 |
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oxygen plasma先然後再塗
PDMS不好上光阻 PDMS的CTE太高了 烤膠的時候容易裂 |
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Could you give me the
detail of Photoreist by
PC3-6000 |
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PC3-6000
is not photo resist. It
is binder for chip on
glass |
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是否有
Wax
替代品 |
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PC3-6000
可替代
Wax
做 晶片 和玻璃的固定 容易去除 |
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用電子束直寫光阻後，如何把光阻的圖案轉移到基體石英材 |
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RIE ICP基本一回事，關鍵是看機台配套的氣體
C4F8有的話最好，加點Ar就可；如果只有CF4的話比較麻煩，要配CH4；CHF based的話，CD比較容易撐大。
具體氣體配比，
試機台而定，一般設備商會給你一個基準配比，在此基礎上微調即可。
電子束直寫的膠比較軟， 選擇比不太高，SiO2 trench深度會有限制。 |
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有沒有SOG透明度高,
體積收縮率低, 熱烤過程不希望有太多的氣體溢出,
最重要的是對於Si和GaAs
wafer黏著性要強 |
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RIE的時候可以用鎳鎘合金做掩膜嗎？ |
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金屬主要是污染嚴重，不能與生產Si的混用 |
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翹曲的晶圓如何操作？ |
可以在背面做一層SiO或者SiN做補償。
片子上有太多鏤空結構的話針孔有可能吸碎掉。可以嘗試調節stepper上chuck的真空，只要保證片子不動，真空不報警就ok。sputter的話，另外設備是從上向下濺射的還是反的？後者的話夾鬆一點，片子不掉就ok。 |
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如何區分ＳＯＩ矽片的正反面 |
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一般頂層矽會比底層小一圈。如果是上下一樣大的話，可找個測膜厚的機器測一下
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在SiOx 或者SiNx上生長2-5微米厚的SiGe |
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採用金屬鎳誘導，然後用超高真空CVD方法，可以生長多晶SiGe。具體操作：電子束蒸發60nm的Ni層，再以SiH4和10%的GeH4（與H2混合），在420-500℃下，在超高真空CVD內生長一層SiGe。不需要退火，晶粒尺寸在450nm左右。 |
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濺射NiCr合金，Lift-off後如何進行表面清潔 |
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用丙酮浸泡3小時，然後再用丙酮超聲5min，最後再用酒精沖洗乾淨。 |
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有關micro-lens上面覆蓋材料之n值，最小的n
可到多少 |
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正光阻 加
hmcts
在silylation
process
是否可到200度 |
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Do you have PR for light
guide pattern
application? If sidewall
30° angle is possible |
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NR4-8000P is designed
for light guide pattern
application. You must to
obtain printing mask
with pattern edges
exhibiting gradual light
transmittance. |
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Do you have PR for 100
micron MEMS application
for Ni coated Silicone
wafer |
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NR4-8000P could reach
140 micron thickness and
no peeled off problem on
Ni surface. For other
surface, NR9-8000P is
recommend for non Ni
surface. |
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We are LED manufacturer,
please recommend
negative PR for RIE &
Lift –off application. |
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NR7-1500P & NR7-3000P is
designed for RIE
purpose, NR9-3000PY is
for Lift-off process. |
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What is replacement of
AZ1518, Micropure
remover & AZ developer |
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PR1-2000A, Remover RR4 ,
Developer RD6 |
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What is replacement of
Shipley S1805 for DVD
application |
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我們建議PR1-500A
,
它有下列優點
較好解析度
較好線寬控制
反射較少
不需
HMDS.
RIE
後去除容易
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CCD and CMOS pattern
用那種PR
最適合 |
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PR1-2000S
經過
Silylation
制程是最好的選擇.
Silylation
制程是將
PR1-2000S pattern,
放在HMCTS
蒸汽爐內烘烤
烘烤條件:145°C
for 20分鐘
Polaroid就是用這個方法製作CCD
和
CMOS imagers
的
microlens |
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耐高溫的光阻那一種 |
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NR7 serious(負光阻)
Or PR1 serious(正光阻)
,
再經過HMCTS
silylation process,
可耐200c
高溫.
PSPI透明polyimide,
可耐250°C高溫.
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厚膜光阻在鍍金應用上用那一種比較好 |
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NR4-8000P比干膜及其他市面上的溼膜適合 |
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LIFT-OFF
制程那一種光阻最適合 |
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正型光阻用PR1,負型光阻用NR1
& NR7,它們都可耐溫180°C,
可完全取代一般制作PATTERN
的光阻. |
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RIE
Mask
,
那一種光阻最適合 |
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正型光阻用PR1,負型光阻用NR5
都可耐溫180°C |
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厚膜 制程那一種光阻最適合 |
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NR9-8000P有很高的深寬比(超過4:1),
適合一般厚膜及MEMS
需求,
那DEEP
RIE
的MASK
可以用NR9-8000P嗎? NR5-8000
最理想
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在OLED
制程上我們需要一層永久的SPACER,
那種最好 |
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NR1-3000PY and
NR1-6000PY
are applicable as permanent
spacers
in OLED displays |
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有同時可以滿足
RIE process
和
Lift -off process的光阻嗎 |
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It is recommended to
apply NR1-3000PY to
fulfill process
requirements. Technical
Information on
NR1-3000PY is included. |
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有容易去除的負光阻嗎 |
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NR9-series |
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我們目前用干膜做窄板,
解析度不夠,
希望找好的替代光阻 |
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NR9-8000因為有很高的AR
比例,
最適合取代,
在凸塊的應用上也有很好的效果 |
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傳統的Color
filter
製程,
每個顏色的烘烤時間要2-3
小時.有沒有更快的方法制作Color
filter |
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用Silylation
製程-----烘烤時間只需要2
分鐘.
同時,
光阻不需Reflow,
顏色也不會老化改變,
只需要在Filter
上面加熱熔解
PR1-2000S
光阻,
Microlenses
就能形成! |
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有平坦化的材料嗎 |
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PC3-6000和
PC4-1000都是為平坦用途設計 |
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我需要一種可用鋼板印刷的方式來塗佈PROTECTIVE
COATING,
那種最適合 |
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PC4-10000 |
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Wax is used for wafer
mounted, but it is
difficult to clean well.
Do you have replacement |
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Yes, please use
PC3-6000. |
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關於lift-off製程 |
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通常lift-off製程都是做電極使用
金屬不厚，可用IBE轟
，光阻做掩蔽層 |
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固化後的聚酰亞胺做了光刻和乾法刻蝕，刻蝕前做了hard bake，刻蝕後用丙酮去光阻總是有殘留，去不乾淨。
什麼方法能去乾淨光阻？用乾法怕傷到聚酰亞胺的圖形 |
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加熱丙酮（注意通風， 在acid hood裡處理) |
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