旋寶好化學銷售的正負級光阻劑通常是開發水性鹼性的。相應的顯影劑基於稀釋的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液,或基於無金屬離子有機
TMAH(四甲基氫氧化銨)的水溶液。許多顯影劑使用化學緩沖劑防止
CO2
中和以延長保質期,表面潤濕劑用於水坑顯影,以及去除頑固抗蝕劑殘留物的添加劑。打開的顯影劑容器應密閉存放,不要在不必要的時間內保持打開狀態,以防止二氧化碳從環境空氣中進入。在可能的化學緩衝液耗儘後,CO2
會降低顯影劑的活性,並通過降低 pH
值從而降低其活性來降低顯影劑的顯影速度。裝有顯影劑的開口容器也會從環境空氣中吸收二氧化碳,其中表面積與體積的比率是決定性的:燒杯應該至少每天更換一次,而較大的水箱可以保持穩定數天和數週。當顯影液在暫停過程中受到氮氣幕保護時,它會像地毯狀覆蓋在顯影液表面,從而抑制
CO2 輸入,從而顯著延長保質期。
显影液:正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH会带来可动离子污染,IC制造中不用。正胶显影液四甲基氢氧化铵(TMAH)(当量浓度0.26,温度
15∼25°C)。I线光刻胶曝光中会生成羧酸,TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液,而未曝光的光刻胶没有影响;在化学放大光刻胶CAR中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸去除PHS中的保护基团(t-BOC),使PHS快速溶解于TMAH显
影液中。整个显影过程,TMAH没有同PHS发生反应。
负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。
显影常见问题:显影不完全。表面残留有光刻胶。显影液不足造成;
显影不够。显影的侧壁不垂直,由显影时间不足造成;
过度显影。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解,形成台阶。显影时间太长。
水坑(旋覆浸没)式显影。喷覆足够(不能太多,最小化背面湿度)的显影液到硅片表面,并形成水坑形状(显影液的流动保持较低,以减少边缘显影速率的变化)。硅片固定或慢慢旋转。采用多次旋覆显影液:第一次涂覆、保持10∼30秒、去除;第二次涂覆、保持、去除。然后用去离子水冲洗(去除硅片两面的
所有化学品)并旋转甩干。优点:显影液用量少;硅片显影均匀;最小化了温度梯度。
整盒硅片浸没式显影、连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100∼500rpm)。
喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。
Metal-ion free developers |
Applications
: Metal-ion free developers are applicable with
both positive and negative resists. |
Alkaline metal-based
developers |
Applications
: Alkaline metal-based developers are
applicable with positive resists. |
Metal Ion Bearing
|
Applications |
AZ 300 MIF Developer
5L bottles ,30L
AZ 400 K Developer
5L bottles ,30L
AZ 917 MIF Developer
5L bottles ,30L
CD-30 5L
bottles ,30L
Eagle 2005 Developer
5L bottles ,30L
MF 26A Developer
5L bottles ,30L
MF 319 Developer
5L bottles ,30L
Microposit 351 Developer
5L bottles ,30L
Microposit MF 312 Developer
5L bottles ,30L
PA 401D
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Propylene Glycol Methyl Ether Acetate (PGMEA)
5L bottles ,30L, 200L drums
Resist Developer RD6
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5L bottles ,30L
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photoresist developer solutions![](icoLeaf.gif)
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