整盒硅片浸没式显影、连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100∼500rpm）。
喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。

水坑（旋覆浸没）式显影。喷覆足够（不能太多，最小化背面湿度）的显影液到硅片表面，并形成水坑形状（显影液的流动保持较低，以减少边缘显影速率的变化）。硅片固定或慢慢旋转。采用多次旋覆显影液：第一次涂覆、保持10∼30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去离子水冲洗（去除硅片两面的 所有化学品）并旋转甩干。优点：显影液用量少；硅片显影均匀；最小化了温度梯度。

显影液：a、正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH会带来可动离子污染，IC制造中不用。正胶显影液四甲基氢氧化铵（TMAH）（当量浓度0.26，温度 15∼25°C）。I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响；在化学放大光刻胶CAR中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸去除PHS中的保护基团（t-BOC），使PHS快速溶解于TMAH显 影液中。整个显影过程，TMAH没有同PHS发生反应。b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。
显影常见问题：a、显影不完全。表面残留有光刻胶。显影液不足造成；b、显影不够。显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成；c、过度显影。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解，形成台阶。显影时间太长。
　

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