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XBH
CVD前驅物是一種用途廣泛，高性能的材料。
設計用於PECVD處理，以沉積薄膜電介質。該材料可用於銅質雙重鑲嵌（copper
dual damascene）和鋁質IC制程（aluminum
IC fabrication）。這種前驅物是無色、耐腐蝕、不自燃的有機矽材料，能夠滿足半導體行業對材料安全性與純度的要求。
Tetramethylsilane
應用範圍: 由矽－碳化物(SiC:H)，矽－碳氧化物(SiOC:H)或矽－氮化物(SiCN:H)形成的薄膜電介質組成。
典型薄膜應用包括：銅擴散阻礙層（Copper
diffusion barrier）蝕刻（Etch
stop）硬質掩膜（Hard
mask）低K值層間介電（interlevel
dielectric）填縫（Gap
fill）鈍化（Passivation）
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Silicon Tetrafluoride |
Octamethylcyclotetrasiloxane |
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Diethoxymethylsilane |
Tetraethoxysilane |
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Hexamethyldisilazane |
Diethoxypolycarbosilane |
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Trimethylsilane |
tetraethyl orthosilicate |
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(Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetradecyl)trimethoxysilane |
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Tetramethyldisiloxane |
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Storage condition :
Room temperature
Shelf life : 3 months in a sealed container.
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